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DMN26D0UT-7 |
SOT-523 | Diodes Inc | 18168 | 电话:0755-83217923 询价QQ: |
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DMN26D0UT-7参数 产品类别:分立半导体产品-FET - 单 说明:MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523 包装数量:3000 包装形式:带卷 (TR) PDF资料下载:PDF文档 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss):20V 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):230mA 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3 欧姆 @ 100mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):14.1pF @ 15V 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装 |
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热门型号: RF FETMRF7S21210HSR5 圆形MS3114E12-10PZ 陶瓷电容器1206AA101JATME 圆形CA3106E20A9SB03 钽电容器595D474X0050A2T 按钮开关A22L-GG-24A-01M 接线座 - 隔板块325112-16-0 DC DC ConVE-2WN-CX-F2 通孔电阻器PNP1WVJR-73-47R Card EdgeABM15DTBS-S189 |